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IRF830

详细参数
型号:IRF830
IRF830
制造商:STMicroelectronics
RoHS:ROHS 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装:管件
说明:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
标准包装:50
类别:分立式导体产品
家庭:FET - 单
系列:PowerMESH??
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):610pF @ 25V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
其它名称:497-2732-5
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封装
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电话:021-32301707/18616352679
地址:上海市静安区海宁路1399号 /青岛市市南区南京路110号/深圳福田区中航路新亚洲二期
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IRF830PBF
IR 
TO-220 
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IRF830
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  1年年资
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  8年年资 
IRF830APBF
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TO-220AB 
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  11年年资 
IRF830PBF
IR 
TO-220 
18+原装ROHS 
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IRF8301MTRPBF
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TO-262 
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